設立
2009
生産拠点
恵州 + 吉安
第1期面積
140,000 m²
月間生産能力
約 160,000 m²
ISO 9001ISO 14001IATF 16949ISO 13485ULRoHS / REACH
発明特許 6 件 + 実用新案 32 件
サブストレート関連の位置づけ
恵州の材料注力
BT、高分子、COB、通信モジュールが恵州の公開注力。
吉安の研究開発蓄積
吉安は設備・人員・技術を投入し IC サブストレート能力を蓄積。
層数の言い方
紹介の最大 64L は研究開発／試作。安定量産 64 層とは読めません。
工程の焦点
- 基材（BT 含む）と表面処理（ワイヤボンド界面含む）を用途確認
- 微細配線とマイクロビアは注文構造で審査。極限組合せなし
- 寸法・金厚・試験を受入に記載。口頭デフォルトなし
検査とトレーサビリティ
- 内外層配線 100% AOI
- 試作はフライングプローブ、量産は治具テスト
- ENIG は XRF でニッケル／金厚を測定
- インピーダンス基板は TDR クーポンで実測
- 多層は X 線層間位置合わせ；構成は断面サンプリング
- 納入良品率 99.8%；スクラップ率 0.3% 未満
案件資料・確認項目
- 用途種別（COB／モジュール／類基板等）と材料要件
- 層構成、配線／ビア、表面処理（金厚含む）
- 試作／試産／量産段階と受入基準