サブストレートライクPCB（SLP）は、構造上ICサブストレートとHDI基板の中間に位置します。配線密度はサブストレートに近い一方、納品形態は完成基板です。HDIとの違いは層数やビルドアップ段数ではなく、回路の形成方法にあります。
HDIの工程は HDI基板の製造工程、ABF/BT材料とパッケージ種類は ICサブストレートとSLP を参照してください。本記事ではサブトラクティブ法とmSAPの境界、および切り替え時に変わる設計入力だけを扱います。
3種類の基板の比較
| 項目 | HDI（サブトラクティブ） | SLP（mSAP） | ABFサブストレート（SAP） |
|---|---|---|---|
| ライン/スペース | 2/2 mil | 標準 25/25 µm、先端 20/20 µm | 標準 15/15 µm、先端 10/10 µm |
| レーザービア径 | 0.075 mm | 標準 φ60 µm、先端 φ40 µm | 標準 φ60 µm、先端 φ40 µm |
| 接続構造 | 1+N+1 ～ 5+N+5 | 全層ビア（ELIC） | ビルドアップ／コアレス |
| 層数または板厚 | 4–20 層 | 仕上がり厚 0.6–1.0 mm | 4–14 層（標準） |
| 納品形態 | 完成基板 | 完成基板 | パッケージ基板 |
数値はSKPCBの公開ページ HDI基板 と ICサブストレート によります。SLPとサブストレートはSKPCBが技術を担い、専門のサブストレートラインで製造します。先端仕様は積層構成ごとにサブストレートラインと確認します。
サブトラクティブ法：銅を残し、不要部をエッチング
サブトラクティブ法は全面の銅箔から始まり、ドライフィルムで回路を保護して残りの銅をエッチングします。エッチング液は下方向だけでなく横方向にも進むため、回路断面は下が広く上が狭い台形になり、サイドエッチは銅厚とともに大きくなります。
線幅が広ければサイドエッチの比率は小さいものの、約50 µm以下ではエッチファクターとサイドエッチが公差を支配します。補正量が線幅と同じ桁になり、線幅の均一性もインピーダンスも収束しにくくなります。露光方式の影響は LDIとフィルムの微細配線限界 を参照してください。ただし露光精度を上げてもサイドエッチはなくなりません。
mSAP：先に溝を定義し、銅をめっきで埋める
mSAP（モディファイド・セミアディティブ法）は順序が逆です。
- 絶縁層上にごく薄いシード銅層を形成する。
- ドライフィルムを露光・現像し、回路となる溝を開ける。
- パターンめっきで溝に銅を析出させる。
- 剥離後、フラッシュエッチングで回路外のシード層を除去する。
側壁はエッチングではなくドライフィルムで決まるため、断面はほぼ矩形になります。フラッシュエッチングは薄いシード層を除くだけなので、線幅の減少はサイドエッチよりはるかに小さくなります。これがSLPで25/25 µmを完成基板サイズで量産できる理由です。
断面形状がインピーダンスに効く理由
インピーダンスは導体断面でモデル化されます。台形断面は上辺・下辺の幅が銅厚やエッチングロットで変わり、同じネットでも位置により実効幅が異なります。ほぼ矩形の断面では上下の幅が近く、残るばらつきは主にドライフィルムの解像度とめっきの均一性によるため、インピーダンスの一貫性が大きく向上します。
設計側にとっては、SLPへ移行した後の積層計算はmSAP断面モデルで行い、HDIのエッチング補正を流用しないことを意味します。インピーダンス目標と測定方法も技術部門と再確認が必要です。
ビア構造：ビルドアップ段数から全層ビアへ
HDIはブラインドビアをビルドアップ段数で構成し、1+N+1から5+N+5、レーザービアは一般にφ75–100 µmです。SLPは全層ビアが前提で、各層をレーザービアで接続でき、径はφ60 µm（先端φ40 µm）まで、スタックビアはビアフィルめっきで形成します。
ビア径が小さくなるとランドも小さくなり、層間位置合わせの余裕が狭まります。スタックとスタッガードの選択は HDIのスタックビア・スタッガードビア・全層ビアの製造限界、めっきのアスペクト比は レーザーマイクロビアのめっきとアスペクト比 を参照してください。
SLPが不要なケース
- 最細配線がHDIの範囲（2/2 mil）で引き回せる。
- ボトルネックが層数や板厚で、層あたりの配線密度ではない。
- 要求板厚がSLPで一般的な仕上がり厚0.6–1.0 mmを外れる。
- 高密度が局所的で、ビルドアップ段数の追加やBGAファンアウトの見直しで解決できる。
SLPが解決するのは層あたりの配線密度と基板面積です。そこが制約でなければ、切り替えは材料と評価の負荷を増やすだけです。
HDIからSLPへ移る際に確定すべき入力
| 入力項目 | HDIでの一般的な扱い | SLPで明示すべき内容 |
|---|---|---|
| ライン/スペース | エッチング補正込みで指示 | 仕上がり目標値と、mSAPで形成する層 |
| 断面モデル | 台形 | ほぼ矩形、積層計算はmSAP前提 |
| インピーダンス | HDIモデル | 再計算し、測定方法を確認 |
| 接続構造 | ビルドアップ段数 | 全層ビア、または局所的なmSAP層 |
| ビアとランド | 0.075 mmレーザービア | φ60 µmまたはφ40 µmと対応ランド寸法 |
| 仕上がり板厚 | 積層構成による | 0.6–1.0 mmに収まるか |
| 材料 | FR-4/BT/ABF | mSAPに適した絶縁材をサブストレートラインと確認 |
| 検証 | 通常のHDI受入 | 断面観察、インピーダンス、電気検査を個別に取り決め |
積層構成と重要ネットが決まったら 見積もりページ から提出してください。技術部門がEQで、mSAPで形成する層と先端仕様の審査要否を確認します。
まとめ
HDIとSLPの境界は回路の形成方法です。サブトラクティブ法はエッチングに依存し、約50 µm以下ではサイドエッチが公差を支配します。mSAPはドライフィルムで溝を定義してめっきで回路を形成し、断面はほぼ矩形になります。SLPへの移行では、線幅、断面モデル、インピーダンス、ビア径、板厚を新しい工程に合わせて改めて指示し、HDIの補正習慣を持ち込まないことが要点です。
セルフチェック
- 既存記事との重複：HDI工程、スタックビア/全層ビア、マイクロビアめっき、LDI微細配線の記事とICサブストレートページが既にあるため、本記事はサブトラクティブ法とmSAPの境界および移行時の入力に限定し、その他は内部リンクで案内。
- 同日のPCB168：brief未作成。本記事は工程技術記事であり、RFQチェックリストではない。
- キーワード：「サブストレートライクPCB」「SLP」「mSAP」「HDI」をtitle、description、H1、本文に自然に配置し、過剰な詰め込みなし。
- 事実：数値は公開ページのみ。歩留まり、納期、価格、顧客事例、シード層厚は記載せず、自社サブストレートラインも主張していない。
- 内部リンク：
/ja/リンク7件、すべてout/ja/で存在確認済み。industriesリンクなし。 - FAQと本文の整合：6問すべて本文の節に対応。
- REVIEW_REQUIRED：日本語はネイティブによる校閲を推奨。
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FAQ
Q：SLPとHDIの根本的な違いは何ですか？
A：回路の形成方法です。HDIは銅箔をサブトラクティブにエッチングし、SLPはmSAPでドライフィルムの溝にめっきして回路を形成します。
Q：なぜ約50 µm以下でサブトラクティブ法は難しくなるのですか？
A：サイドエッチが線幅と同じ桁になり、エッチファクターが線幅公差とインピーダンスの一貫性を支配するためです。
Q：SLPはどこまで微細化できますか？
A：SKPCBの公開仕様はSLP/mSAPで標準25/25 µm、先端20/20 µmです。先端仕様は案件ごとにサブストレートラインと確認します。
Q：SLPの板厚範囲は？
A：公開しているSLPの主要仕様は仕上がり厚0.6–1.0 mmです。
Q：一部の層だけをmSAPにできますか？
A：具体的な積層構成によるため、設計ごとに審査します。設計データには層ごとの形成方法と目標線幅を明記してください。
Q：SKPCBは自社のSLPラインを持っていますか？
A：SLPとICサブストレートはSKPCBが技術を担い、専門のサブストレートラインで製造します。DFM審査、積層構成、評価はSKPCBの技術部門が担当します。